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2006年12月14日讯 来自IBM、旺宏和奇梦达的科学家今天联合发布他们的共同研究成果，这种新型计算机存储器技术将有望取代已被广泛用于计算机和消费类电子产品（如数码相机和便携式音乐播放器）的闪存芯片。
新研究成果预示“相变”内存的前景一片光明，该内存的处理速度远远快于闪存，并且尺寸也比闪存小得多，从而使未来高密度“非易失性”存储器以及功能更强大的电子设备的出现成为可能。非易失性存储器无需利用电力来保存信息。通过将非易失性与优异性能以及可靠性完美结合起来，相变技术还为面向移动应用的通用存储器开辟了道路。
来自三家公司的科学家们在位于美国东西海岸的两个IBM研究中心实验室一起设计、制作和展示相变内存原型：交换速度也比闪存快500倍，而写入数据的功耗不到闪存的一半。该器件的截面面积仅为3*20纳米，远比当今的闪存小，并且与业界预期的2015年芯片制造能力相吻合。新成果还表明，当相变存储器尺寸随摩尔定律减小时，其技术仍会不断提高，这与闪存特性不同。
“这些成果充分证明，相变存储器的前景将非常光明，”IBM研究院科技副总裁T.C. Chen博士说道，“许多人都预计，在不久的将来闪存会遭遇严重的尺寸缩小限制。如今，我们推出了新型相变存储材料，即使体积极其微
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