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示，流经新晶体管的电流量相当于目前最先进的硅晶体管电流量的2.5倍，而更大的电流量是快速运行的关键。此外，每个砷化铟镓晶体管只有60纳米，相当于当今最好的65纳米硅晶体管技术。
英特尔公司晶体管研究和纳米技术主任罗伯特?周认为，德尔?阿拉莫研究小组展示的60纳米砷化铟镓量子井晶体管，在低压（如0.5伏特）下显示出了良好的性能，在该领域的研究中，这一成果是一个十分重要的里程碑。德尔?阿拉莫认为，砷化铟镓晶体管技术目前还处于“幼年”时期，由于砷化铟镓比硅更容易破损，因此它存在着诸多挑战，例如难以大批量生产等。但他同时希望，可满足尺寸要求、利用砷化铟镓的原型设备机可在今后两年内问世，该技术在10年内将会开始快速发展。
德尔?阿拉莫乐观地表示：“经过更多的工作，这种半导体技术有望极大地超过硅技术，让我们在未来继续进行微电子革命。”
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