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本报讯（记者陈丹实习生王若素） 美国哈佛大学的研究人员开发出一种新技术，他们利用镍蒸汽制造出相互间可直接连接形成电路的纳米级电子元件，从而省去了以往必须使用比这些纳米元件本身要大上百倍的结合扣的麻烦，使纳米电路的优势得以充分发挥。
尽管科学家们早已能够利用碳纳米管制造出单独的纳米级电子元件，但在其与硅晶体管相连的过程中，传统方法的使用却让这种纳米电子电路的性能大打折扣。现有的晶体管通常是采用在两层导体材料中间夹杂半导体硅的方法制成，新技术的突破口就在于将半导体硅的一部分变成了导电性能良好的硅化镍。
据《新科学家》杂志网站报道，研究人员在直径20纳米的硅电线外面镀上镍金属，然后将其加热到550摄氏度，使硅和镍相结合，再通过蚀刻技术去除多余的镍金属，由此形成了硅化镍电线。经测试，这种硅化镍电线有着非常好的电传导性，且宽度仅仅相当于一张纸厚度的万分之一。研究小组负责人查尔斯·利伯说，如果只将硅电线的一部分镀上镍金属，这样加热后得到的纳米电线一部分仍是半导体硅，而另一部分就成为导体硅化镍，利用这一技术可以制造一些简单的电子元件，比如场效应晶体管等。
利伯希望下一步开发出能够进行复杂运算的集成电路。他同时表示，在半导体工业领域，新技术目前还无法取代现有的电子元件
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