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现在，人们正在研究如何使计算机变得更小更有效，而纳米导线半导体在替代传统计算机的研究中正处于领先地位。不过直到现在，用纳米导线半导体制成的集成电路并不实用，因为它们需要耗费太多的电量，并且制造困难。日前，加州理工大学的研究人员找出了一种制造高效纳米导线集成电路的方法，他们相信这种方法可用于大规模生产。
加州理工大学的研究首次展示了当今标准的半导体互补性氧化金属半导体（CMOS）中，如何利用纳米导线，通过一个工序使它大规模生产。以前关于纳米导线半导体的研究都是利用旧的耗能的技术。有限的几种利用纳米导线的CMOS型集成电路都是一次性的演示模型，并不适合大规模生产。
CMOS依赖两种半导体，即N型半导体和P型半导体。大规模制造纳米导线CMOS设备的一个困难是，没有可靠的制造N型纳米导线半导体的方法。由制造过程不纯正引起N型纳米导线半导体表面的一个微小变化，都会使半导体性能出现很大的不同，甚至会使它们显现出P型半导体的特性。通过研究纳米导线对表面变化如何反应，研究人员找到了解决不纯正引起表面变化的方法，这使它们可以制造出可靠的设备。
另一个挑战是如何把两种不同类型的纳米导线半导体封装在同一个表面，并且通过一种可以大规模生产的方式。加州理工大学的研究人员找出一种棋盘模式，来变换P型硅格和
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