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本报华盛顿7月22日电 著名的四大计算机芯片制造商将与纽约州合作，在今后5年内出资5亿美元，联合开发下一代计算机芯片光刻技术，研究线宽只有人头发丝10万分之一的集成电路。IBM、超微（AMD）、美光（Mi鄄cron）及德国英飞凌四家公司与纽约州日前宣布了这一计划。纽约州计划出资1.8亿美元，上述四家公司各出5000万美元，另外几家提供原料和设备的公司出资2亿美元。
这项称之为“国际纳米光刻计划”的项目将设在纽约州立大学的纳米科学和工程中心，预计将有500多位研究人员和工程师参与这一研发计划。但著名的芯片制造商英特尔公司却未在该计划中露面。
纽约州立大学纳米科学和工程中心主任克罗耶罗称，“国际纳米光刻计划”是第一个将官方投资与民间投资结合在一起的研发计划，目的是使光刻技术达到世界先进水平。
分析人员指出，由于近年来集成电路芯片的速度和复杂性不断提高，制造更小和更快的芯片的难度也在增加，研发成本不断提高。芯片制造厂家认识到，只有联合才能共担研发费用。一套光刻设备成本可能高达2500万美元，目前最先进的芯片采用线宽90纳米的光刻技术，而芯片制造商希望2006年或2007年能生产出线宽65纳米的芯片。但是，要生产线宽45纳米的芯片，就要考虑使用一种被称为浸蚀法（Immersion）的新技术，
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