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法国和瑞士科学家日前开发出一种名为“自动组合结构”的材料制造技术，进而制成新型超大容量的纳米级信息存储材料，每平方厘米的这种材料可存储的信息达到4万亿比特。
法国国家科研中心27日发布新闻公报说，法国巴黎第七大学以及瑞士综合理工大学的专家，在零下143摄氏度的真空状态下，把钴原子凝聚在金晶体材料上，在这种材料表面的钴原子根据专家事先安排好的一种结构来排列组合。数百个原子可以形成一个大接点，这些接点又相互组合，自动形成一个有序的结构体系。研究人员由此得到的纳米级材料，其结构可以突破信息存储的极限，使硬盘的信息存储密度进一步加大。
据介绍，在目前的硬盘中，信息主要被存储在一个很薄的钴合金晶粒片上。1比特的信息需要占1000个晶粒。而法国科学家新开发的技术使存储1比特信息仅占用1个晶粒，1平方厘米新材料的信息存储量达到了4万亿比特。
目前，这种材料的缺点是只有在零下230摄氏度时才有磁性记忆能力。高于这一温度，新材料的接点就会出现性能不稳定，导致信息丢失。科学家下一步将致力于加强新材料的稳定性。
据当地媒体报道，在微电子技术领域实现微小化、单位面积内存储能力最大化是重要的研究方向。目前的技术很难满足市场对存储能力的要求。未来，利用纳米技术将能在上述两方面不断获得进展。
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