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美国Intel公司和英国Qinetiq公司发明了一种新型晶体管，与现有硅晶体管相比在相同能耗下生产率可提高三倍。
新型晶体管在集成电路中作为转换开关工作，其导通和关闭速度越快，芯片的运行速度就越快。在研制这种晶体管时科学家利用了锑化铟，这种材料具有比硅更高的活性，并能携带更多数量的电荷，因此锑化铟晶体管的开关速度明显提高。但是仍存在一个非常大的限制：为了使锑化铟晶体管工作必须有非常低的温度——大约－196℃。
Intel和Qinetiq公司研究人员建立了所谓的“量子空穴”成功地解决了这一难题，纯净的锑化铟被封闭在两层带有铝杂质的锑化铟材料之间。按新工艺制成的锑化铟晶体管能在低电压下工作，其能耗低于硅晶体管一个数量级。
据《新科学家》杂志报道，在理论上上述新工艺能制作超高速运行速度的信息处理机。
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