目前离子注入技术在GaN中的应用主要集中在注入发光研究，注入绝缘/隔离研究，注入掺杂和深能级缺陷的研究等四方面。在发光研究方面，近年来，Er掺杂半导体因其可能的紧致的1.54μm的辐射源和光学放大器在光纤通信中的应用而受世界瞩目，而且发现用O+共注入可提高光学激发的效率。最近研究人员首次报道了注入V+后,在GaN中观察到近红外（NIR）发光。对氮化镓的注入绝缘研究发现，目前离子注入技术在氮化镓中得到的最好应用就是离子注入绝缘。在注入掺杂方面的基本技术问题是获得氮化镓的可控P-掺杂。最近研究人员在Ga+注入的GaN中看到了Ｐ型导电的迹象。有人提出的反应性共掺杂方法，即同时引入受主施主，从而在偶极散射中产生孤立的库仑散射体。目前对GaN中杂质和缺陷特性以及它们对器件性能的影响仍不清楚，还需进一步的工作。
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