美科学家成功拍摄下硅中单个杂质原子图像<%=id%>

    美国贝尔实验室的科学家成功拍摄下半导体材料硅中单个杂质原子的图像，这一突破性进展将帮助科学家进一步理解杂质影响微芯片性能的机理，以继续提高微芯片的性能。
    据最新一期英国《自然》杂志报道，隶属于朗讯公司的贝尔实验室利用扫描透射电子显微镜，首次在晶体中拍摄下独立的、处于未被干扰状态下的杂质原子图像。据称，此项成就的难度类似于从地球上拍摄下月球表面的一个小小的足印。
    杂质在半导体中扮演着重要的角色，通过掺入杂质原子取代原来的原子可控制半导体的导电性。随着芯片中的元件集成度越来越高，尺寸不断缩小，微电子技术已经达到一个临界点，即为数不多的杂质原子就可能决定特殊设备的功能。研究这些杂质原子，成为未来提高芯片功能的关键。贝尔实验室此次的成果，为研究杂质原子提供了重要的工具。
    美国威斯康辛大学工程学专家保罗?帕西说：“这项结果非常重要，能够帮助科学家理解原子水平上硅中杂质的分布状态。这项技术还会帮助人类更深入认识范围更广的其它复杂材料。”
    贝尔实验室称，这项新技术不仅适用于硅，也可以用于多种其它材料。

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