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    半导体纳米晶体也能够掺杂<%=id%>
        科学时报2005年7月8日讯  大体积半导体的性能可通过掺杂（即有意加入杂质）来改变。将同样方法用于半导体纳米晶体，只获得有限的成功。现在，对掺杂物（即有意加入的杂质）在半导体纳米晶体生长期间是怎样进入晶体中的所做的一个显微层次的解释，为怎样解决这些问题提供了新的线索。掺杂效率取决于杂质在纳米晶体表面上最初的吸附，通过密切关注生长条件，即表面形态、晶体形状和表面活性剂，“不能掺杂的”纳米晶体如CdSe等很快也将变得“能够掺杂”，用在如太阳能电池和自旋电子装置等应用体系中。
         

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