摩尔定律实现8年飞跃：新技术使其再现神奇<%=id%>

    美国威斯康辛州大学(University of Wisconsin)的科学家们最近发现一种方法，能用100纳米的掩模创建出20纳米芯片特征尺寸，给摩尔定律带来意想不到的飞跃，可能延长现有光刻(lithography)技术的寿命。
    这项被称为“辉煌顶峰的技术(bright-peak)”调整了掩模和晶圆之间的间距，控制X射线光刻的相位。“我们认识到如何使用相移来控制衍射――这种技术适用于X射线或传统的光刻。”Franco Cerrina教授指出。他与James Taylor教授和研究员Lei Yang共同在纳米技术中心发明了增强型X射线相移掩模。
    Taylor表示，有了这项技术，就可以写入100纳米掩模特征，并能生成20纳米芯片。国际半导体技术蓝图里规划“大约2010年”实现如此细微的特征尺寸。发明人宣称，该技术使摩尔定律实现了8年的飞跃。
    Taylor目前正在调整bright-peak掩模的最佳分辨率、灵敏度和长期稳定性，以符合制造参数的要求，如掩模材料厚度、相角、曝光波长、光阻材料和所需特征尺寸。

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