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大。但是，莫尔以他对IT技术发展所作出的精确而长期有效的预测即“莫尔定律”(Moore’s law)证明了自己无与伦比的科学天才，并赢得了世人的尊敬。
 莫尔(Gordon E．Moore)1929年1月3日生于美国加利福尼亚州旧金山，其父是当地一个县的行政司法长官。念中学时，莫尔培养了对化学的兴趣，立志做一名化学家。后来他果然考上加里福尼亚大学并取得化学学士学位(1950年)，又到加州理工学院CIT深造，于1954年取得化学与物理的博士学位。学成以后，他先在霍普金斯大学工作了几年，在应用物理实验室从事红外吸收和火焰分光分析，发表了一些论文，也取得了一些专利。但这些工作离工程应用较远，莫尔开始感到不满意。正好肖克莱在硅谷的半导体实验室开张，急需人才，莫尔被肖克莱看中，成了“博士生产线”中的一员。后来的事就是大家所熟知的，以莫尔和诺伊斯为首的8个年轻人离开他们的恩师肖克莱创办了仙童公司，由诺伊斯任总经理，莫尔任技术部经理，后执掌研发部，在诺伊斯发明集成电路的过程中起了十分重要的作用。作为一名物理化学家，有关集成电路的一些最初的概念和思想是由莫尔提出的，集成电路芯片制造工艺中的一些关键技术也是莫尔解决或帮助解决的。诺伊斯多次坦言，莫尔是他在发明集成电路中的主要合作者。
1959年诺伊斯和基尔比同时独立地发明集成电路以后，一方面集成电路技术本身发展十分迅速：1961年电阻耦合逻辑的集成电路RTL(Resistor Transistor Logic)和半导体二极管耦合逻辑的集成电路DTL(Diode—Transistor Logic)率先投入市场；1963年，宾夕法尼亚大学发明了晶体管耦合逻辑的集成电路TTL(Transistor—Transistor Logic)，摩托罗拉公司则发明了发射极耦合的ECL逻辑集成电路(Emitter—Coupled Logic)，至此，双极集成电路工艺正趋成熟。与此同时，单极集成电路技术也很快发展起来。所谓单极集成电路，就是以场效应三极管为元件的金属氧化物半导体MOS(Metal—Oxide—Semiconductor)集成电路。1962年，美国无线电公司RCA的霍夫斯坦(S．Hofstein)和海曼(F．P．Heiman)率先研制出以空穴为载流子的p沟MOS集成电路，即所谓p MOS。以后，以电子为载流子的n沟MOS即n MOS以及互补型MOS即CMOS集成电路也相继问世，它们各有所长，互相竞争，使集成电路工业呈现出一派兴旺发达和繁荣的景象。另一方面，集成电路的应用也在日新月异地发展，从助听器、电子手表、玩具、计算器直至大型电子计算机，都纷纷推出采用集成电路的新产品。1964年，IBM公司宣布其划时代的360系列计算机，更是集集成电路之大成的大手笔。在这种情况下，恰逢著名的《电子学》(Electronics)双周刊为纪念其创刊35周年而出版一期特刊，特刊除了对电子学的发展与应用作了回顾外，还开辟了一个“专家展望未来”(The Experts Look Ahead)专栏，约请一些专家对电子学的发展作一些预测。时任仙童公司研发实验室主任的莫尔应邀写了一篇文章，题为“在集成电路中塞进更多的元件”(Cramming more components onto integrated circuits)。正是在这篇文章中，莫尔提出了他的著名的定律。莫尔认为，集成电路芯片上晶体管的数日(也就是集成度)将逐年翻番。具体而言，集成度可以表示为以2为底、幂为自然数的指数形式。附图就是莫尔文章中所给出的预测图形。据此，莫尔明确预测，1975年时集成电路上的元件数将达到65 000。果不其然，1975年64K RAM芯片问世，而所谓64K的精确值正是65536，即216。这使莫尔预言名噪一时，并从此把它称为莫尔定律。本新闻共2页,当前在第1页 1 2
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