英特尔高级副总裁兼生产制造事业部总经理Sunlin Chou先生说："英 特尔新型的一平方微米
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英特尔公司的研究人员宣布制造出全球最小的SRAM(Static Random Access Memory --静态随机存储芯片)存储芯片单元，尺寸仅为1平方微米。这些单元是存储芯片的基本模块，它们是使用英特尔下一代0.09微米(90纳米)工艺制造的全功能SRAM设备的一部分。这一成果对于在2003年采用新型制造工艺具有里程碑式的意义。