英特尔将采用下一代90纳米工艺来制造这种SRAM单元。该公司表示，这一成就是通向预计在2003年采用的新生产工艺的里程碑。英特尔技术和制造集团的高级副总裁和总经理Sunlin Chou表示，SRAM芯片通常都被当成发展下一代逻辑生产工艺的测试载体。 Chou指出，小尺寸的存储单元
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2002年06月，英特尔的研究人员已经开发出全球最小的SRAM(静态随机存储器)单元，尺寸只有1平方微米。这种52MB的单元可充当SRAM设备的构成模块。