电子自旋极化首次在室温下实现 |
|
|
来源:《自然》 更新时间:2009-12-4 10:12:03 |
|
|
计算机的发展离不开对电子带有电荷这一性质的操控,而电子的另一性质自旋则长期未得到开发利用。荷兰研究人员在新一期英国《自然》杂志上报告说,他们首次在室温下在半导体硅材料中使电子自旋极化状态得以实现,这将有助于研发新一代计算机。
据介绍,根据自旋轴相对于周围磁场的指向,电子自旋具有向上和向下两个状态,如果能在计算机中用这两种状态来代表0和1,那么将可开发出新一代基于电子自旋的计算机。但在此前的研究中,自旋极化状态只有在零下100多摄氏度的低温下才能在计算机常用的半导体硅材料中持续存在。
荷兰特文特大学的研究人员报告说,他们在实验中发现,只要在半导体硅片和磁性材料之间插入厚度不到1纳米的氧化铝薄膜,再施加一个电场,那么自旋极化的电子就会从磁性材料向硅片移动,氧化铝薄膜会起到过滤器的作用,只有某个特定自旋状态的电子能够通过,从而在室温下使有序的电子自旋极化状态体现在硅片中。(来源:新华网 黄堃)
|
上一篇科学技术: InGaAs/InP APD结构SCM研究 下一篇科学技术: 多通道图像反演手段研究获进展 |
|
|