找到快速操控单个电子新方法 |
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| 来源：《科学》 更新时间：2010-5-14 0:17:51 |
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砷化镓芯片表面形成的两个量子阱中。每个量子阱的深度由施加在电极或量子阱门上可变化的电压来控制，通过有选择性的门电压切换，研究人员可将电子从一个量子阱移动到另一个量子阱中。
普林斯顿大学复合材料中心主任费恩·昂表示，在培塔研究小组的实验之前，人们不清楚如何在操控一个电子自旋的同时，而又不影响附近空间中另一个电子自旋。
培塔的研究是新兴的自旋电子学领域的一部分。在自旋电子学中，科学家研究的是如何利用电子自旋特性研发新型电子设备。目前，大多数电子设备的运行是基于电子的另一个重要特性：电子带电特性。
培塔认为，他们还面临着许多的挑战。他说，他们的研究只是在认识整个体系的构建模块，探索它的局限性，以及如何去克服这些局限性。现在还仅处在操控一个或两个量子比特的水平，要做更多的事情则需要数百个量子比特。虽然对取得的进展感到高兴，但他表示，这离长远的应用还需数年的时间。（来源：科技日报 毛藜）
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