科学家开发出更小宽度忆阻器 |
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| 来源：《纳米快报》 更新时间：2010-10-23 13:33:34 |
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材料发生相变，工艺越先进，单元越精细，对加热元件的控制要求也越高，发热带来的影响也越大，发热和较大的耗电量可能会限制PCM的进一步发展。
三维芯片：未来任重而道远
也有公司将目光投向了三维芯片，也就是将晶体管采用一定的方式叠加在一起以增加存储密度。
据国外媒体报道，2007年，IBM宣布在制造环境中实现了一种突破性的芯片堆叠技术，此举为制造三维芯片扫清了障碍。这种被称为“穿透硅通道（through-silicon vias）”的技术可以大大缩小不同芯片组件之间的距离，从而设计出速度更快、体积更小和能耗更低的系统。
IBM的这项突破实现了从二维芯片设计到三维芯片堆叠的转变，将传统上并排安装在硅圆片上的芯片和内存设备以堆叠的方式相互叠加在一起，最终实现了一种紧凑的组件层状结构，大大减小了芯片的体积，并提高了数据在芯片上各个功能区之间的传输速度。
另外，芯片制造商们也研发出了很多方式，让单个芯片来存储更多的信息。但是，从长远的角度来看，这些方法还远远不够。
尽管莱斯大学和惠普力推的忆阻器技术被认为是芯片工业杀出的一匹“黑马”，但是，莱斯大学的研究人员表示，他们将继续推进其研发工作，消除别人的怀疑，因为业界人士一直认为二氧化硅是绝缘体，无法应用在芯片上。莱斯大学的纳米技术专家吉姆·图尔表示，半导体工业需要严肃对待最新的研究。（来源：科技日报 刘霞）
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