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用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO2-x薄膜的方法及其应用<%=id%> |
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C23C14/06;C23C14/08;A61L27/02;A61F2/24;A61M1/10
颁 证 日：
优 先 权：
1999.12.23 CN 99117468.2
申请(专利权)人：
西南交通大学
地 址：
中国四川省成都市二环路北一段111号
发 明 (设计)人：
黄楠;杨萍;冷永祥;陈俊英
国 际 申 请：
CT/CN00/00728 2000.12.25
国 际 公 布：
WO01/48262 中 2001.7.5
进入国家日期：
2002.06.24
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
王岳;梁永
摘要
本发明涉及一种用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO2-x薄膜的方法及其应用。所述方法包括：将待沉积薄膜的材料置于等离子体浸没离子注入装置的真空室中的工作台上，在该真空室中以氧气为气氛环境，其中氧气以等离子体方式存在；以金属孤等离子体方式将钛、钛-钽或者钛-铌等离子体引入该真空室中；向工作台施加频率为500-50000赫兹的负电压脉冲，其脉冲电压幅值在0.1-10千伏，从而在材料表面形成TiO2-x薄膜或者钽或铌掺杂的TiO2-x薄膜，其中x约为0-0.35。当所述材料用于人工器官或者植入人体中的与血液相接触的器械时，可以显著地改善其血液相容性。
主权项
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