一种单/多层异质量子点结构的制作方法<%=id%>

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颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所
地址： 100083北京市海淀区清华东路肖庄
发明 (设计)人：陈振;陆大成;韩培德;刘祥林
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
摘要
　一种制作单/多层异质量子点结构的方法，这种结构用于制作发光器件和微电子器件的活性层，选择合适的衬底材料，在该衬底上外延所需的半导体薄膜材料作为衬底，然后对衬底材料表面进行钝化，然后在钝化后的表面上生长一层纳米尺寸的岛状诱导层，再生长单/多层量子点结构，采用这种方法生长量子点工艺简单，量子点尺寸可调度大，并且适用于多种超晶格外延生长设备；在这种单/多层异质量子点结构中，由于量子限制效应导致三维方向上的载流子局域化；采用该新结构的半导体光电器件可以通过制作内量子效率高、温度特性稳定和开启电压低或阈值电压低的发光器件和电子器件。
主权项
　权利要求书 1.一种制作单/多层异质量子点结构的方法，其特征在于，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上外延生长所需要的另一材料作为下一步的衬底；步骤2：对外延生长的材料表面进行钝化，以利于量子点的形成；步骤3：在经钝化后的上述衬底上生长一层纳米尺寸的量子点作为诱导层；步骤4：然后在诱导层上再生长一层或多层异质量子点结构；所生长的单/多层异质量子点结构可以作为光学器件或电子器件的活性层。

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