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含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材<%=id%> |
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颁 证 日：
优 先 权：
1999.12.28 JP 372163/1999;1999.12.28 JP 372164/1999;1999.12.28 JP 372165/1999
申请(专利权)人：
IBIDEN股份有限公司
地 址：
日本岐阜县
发 明 (设计)人：
平松靖二;伊藤康隆
国 际 申 请：
CT/JP00/02165 2000.4.4
国 际 公 布：
WO01/47831 日 2001.7.5
进入国家日期：
2002.06.27
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
周承泽
摘要
一种含碳的氮化铝烧结体，包括氮化铝基体和包含在其中的峰在激光拉曼光谱分析的1580cm-1和1355cm-1的碳。含碳的氮化铝烧结体由于在200℃或更高温度范围(例如500℃或更高)具有至少1×108Ω·cm高体积电阻率而不会出现短路，掩蔽性能优良，提高了辐射热量，并且能确保用表面温度计进行准确测定。
主权项
权利要求书
1.一种含碳的氮化铝烧结体，在氮化铝构成的基体中包含其峰在激光拉曼光
谱分析的1580cm-1和1355cm-1的碳。
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