熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法<%=id%>

所属分类：	新型材料	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	中国科学院上海技术物理研究所	所在地域：	上海
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该发明专利是一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前，插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。该方法的最大优点是对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。