半导体晶片的快速热处理方法<%=id%>

BR>. 摘要　.
.本发明提供一种半导体晶片的快速热处理方法。提供RTP反应舱，包括加热源、旋转驱动机制以及冷却系统，用以冷却该RTP反应舱的内壁。将半导体晶片加载RTP反应舱中时，RTP反应舱的内壁由冷却系统降温至第一温度，且半导体晶片的温度低于第一温度，导致附着并累积在RTP反应舱的较热内壁上的微粒污染物有朝向刚载入RTP反应舱中的半导体晶片的较冷表面移动扩散的倾向。接着，以加热源快速预热该半导体晶片至第二温度，其中第二温度高于该第一温度，藉此消除微粒污染物扩散倾向。当半导体晶片的温度到达第二温度时，启动旋转驱动机制，进行半导体晶片的旋转，同时间亦持续将半导体晶片的温度拉升至第三温度。
. 主权项　.
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