自动掺杂使N井及N+埋藏层隔离的半导体元件<%=id%>

入国家日期：..
专利代理机构：.. 北京中原华和知识产权代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 寿宁张华辉
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. 摘要　.
.本发明是有关于一种自动掺杂使N井及N+埋藏层隔离的半导体元件，该半导体元件包括有复数个低电压N井区域偏压在不同的电位上，并藉由一共通N+埋藏层及至少一高电压N井区域与基材隔离。低电压N井区域经由一共通P+埋藏层与下方的共通N+埋藏层结合。此方法适用于形成半导体元件的基材，其包括了形成N+埋藏层在一负偏压P型半导体的一指定低电压区域，藉由植入P型杂质离子，例如铟，进入到P+埋藏层中，以形成P+埋藏层在N+埋藏层中，长出覆盖P+埋藏层的P型磊晶层，使P型杂质离子扩散进入到P型磊晶层，以致于P+埋藏层延伸进入到N+埋藏层。低电压P井区域也形成在P型磊晶层且连接到P+埋藏层。
. 主权项　.
.1、一半导体元件，其特征在于：至少包括复数个低电压N井区域，偏压在不同的电位且藉由一共通N+埋藏层将该些低电压N井区域自下方与一半导体基材隔离。.
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中国科技资讯网
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