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分 类 号：
H01L21/768;H01L21/311
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.10 JP 312883/2001
申请(专利权)人：
富士通株式会社
地 址：
日本神奈川
发 明 (设计)人：
驹田大辅;各務克巳
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王以平
摘要
本发明提供半导体器件制造方法，其采用可以很容易地去除蚀刻阻止膜或碳化硅制成的硬掩膜的工艺。具体地，在半导体衬底上形成第一膜，该第一膜由蚀刻抗力不同于碳化硅的绝缘材料制成。在第一膜上形成由加氢的碳化硅制成的第二膜。在第二膜上形成具有开口的光刻胶膜。通过以光刻胶掩膜作为蚀刻掩膜，并使用添加SF6和NF3中的至少一个的碳氟化合物气体的混合气体对第二膜进行干蚀刻。以第二膜作为掩膜，对第一膜进行蚀刻。
主权项
权利要求书
1.一种制造半导体器件的方法，包含下列步骤：
在半导体衬底上形成第一膜，该第一膜由蚀刻抗力与碳化硅不同
的材料制成；
在第一膜上形成第二膜，该第二膜由加氢的碳化硅制成；
在第二膜上形成具有开口的光刻胶膜；
通过使用光刻胶掩模作为蚀刻掩模，并使用添加SF6和NF3中的
至少一个的碳氟化合物气体的混合气体，对第二膜进行干蚀刻；并且
使用第二膜作为掩膜对第一膜进行蚀刻。
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