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分 类 号：
H01L21/768
颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.28 JP 301180/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
大芦敏行
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
刘宗杰;叶恺东
摘要
本发明的课题是提供一种具有微细化、高密度化多层布线结构的半导体装置及其制造方法。在具有SOI晶体管和多层布线的半导体装置的制造方法中，包括以下工序：准备具备表面和背面的硅衬底的工序；在硅衬底的表面上形成层间绝缘层的层间绝缘层形成工序；在层间绝缘层中形成多层布线的布线工序；在层间绝缘层上固定衬底的衬底固定工序；从背面使硅衬底薄膜化作为SOI层的SOI层形成工序；以及在SOI层上形成沟道层和与它的背面侧连接的栅电极，进而形成夹持沟道层二者相向的源及漏作为SOI晶体管的晶体管形成工序。
主权项
权利要求书
1.一种半导体装置的制造方法，它是具有SOI晶体管和多层布线
的半导体装置的制造方法，其特征在于：
包括：
准备具备表面和背面的硅衬底的工序；
在该硅衬底的表面上形成层间绝缘层的层间绝缘层形成工序；
在该层间绝缘层中形成多层布线的布线工序；
在该层间绝缘层上固定衬底的衬底固定工序；
从背面使该硅衬底薄膜化作为SOI层的SOI层形成工序；以及
在该SOI层上形成沟道层及其背面上的栅电极，进而形成夹持该
沟道层二者相向的源及漏作为SOI晶体管的晶体管形成工序。
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