紫外光制备碳纳米管的方法<%=id%>

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申请(专利权)人：黑龙江省光电技术研究所
地址： 157000黑龙江省牡丹江市光华街106-1号
发明 (设计)人：彭鸿雁;申家镜;申辉
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摘要
　本发明公开了一种紫外光制备碳纳米管的方法，其特点是将用于作生长衬底的硅片经超声清洗后，预沉积一层催化纳米粉，把该衬底置入沉积腔内并抽真空到≤10Pa后通入原料气体，把波长小于等于350nm的紫外光经反射镜反射后会聚照射在衬底上从而生长出碳纳米管。本发明具有分解效率高，能耗少，无污染的特点。
主权项
　权利要求书 1、一种紫外光制备碳纳米管的方法，其特征是将用于作生长衬底的硅片经超声清洗后，预沉积一层催化纳米粉，把该衬底置入沉积腔内，将沉积腔内抽真空到≤10Pa后通入原料气体包括氢气、甲烷(或其它含碳气体化合物)，控制气体压强在3～6KPa，生长衬底的温度为400～600℃，把波长小于等于350nm的紫外光经反射镜反射后会聚照射在衬底上从而生长出碳纳米管。

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