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  美开发出高效热电元件  
大幅降低取决于高强度声子散射的导热率而实现的”。ZT值除以导热率之前的功率因数值在室温下约为43μW/cm/K2,与此前的研究成果大体相同。

  元件材料的制造方法是,用碾磨机将BiSbTe单结晶磨成粉末,然后利用高压将其压固在直径1.25~2.5mm的石墨盘片上。尤其是在粉末粒子的粒径方面下了一番工夫,将其控制在了平均20nm左右、最大也不过50nm的水平。这样一来,便使材料的导热率降到了磨成粉末前的BiSbTe单结晶的1/2~1/3左右。另外,研究人员也尽量防止制造过程中的材料氧化,保持了导电率。

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时间:2009-4-20 22:30:14

     

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