单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁制备技术<%=id%>

所属分类：	石油化工及冶金	项目来源：	自创
技术持有方姓名：	浙江大学	所在地域：	浙江
是否中介：	否	是否重点项目：	否
技术简介：	该单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备技术，采用位向分别为（100）及（111）的两种单晶硅片为载膜衬底，通过磁控溅射沉积25-150nm厚度的纯铁膜，再将纯铁膜和在硫化温度下能产生80kPa压力所需质量的升化硫粉衬装于石英管中，抽真空后密封置于加热炉中，以3℃/min的升温速率加热至400-500℃进行热硫化反应10-20h，以2℃/min的速率降温至室温。该技术简化了直接溅射二硫化铁时通入硫蒸气或硫化氢的复杂过程，所合成的二硫化铁薄膜具有较标准的化学计量成分，不出现过渡相；薄膜与衬底之间具有较高的附着力，不易产生局部剥落；可以为关于衬底晶体结构和晶格参数对二硫化铁晶体生长影响视规律研究提供基础。