深亚微米集成电路Cu阻挡层的制备工艺<%=id%>

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颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：上海华虹（集团）有限公司
地址： 200020上海市淮海中路918号18楼
发明 (设计)人：徐小诚;缪炳有
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海正旦专利代理有限公司
代理人：陶金龙;陆飞
摘要
　本发明是一种深亚微米集成电路Cu阻挡层的制造工艺，采用IPVD工艺淀积TaSiN作为Cu扩散阻挡层，选择Ta作为与Cu金属相邻的阻挡层材料。在化学电镀Cu时采用加交变电场和电镀添加剂，用快速热退火对Cu进行热处理，接着进行化学机械抛光，磨去连线和通孔以外的多余Cu金属以及阻挡层，完成Cu大马士革互联布线的工艺。本发明提高了抗Cu扩散和抗F扩散能力，改善了与Cu金属薄膜以及绝缘介质层的粘附性，适用于Cu金属和低介电材料相结合的互联工艺中。
主权项
　权利要求书 1、一种深亚微米集成电路Cu阻挡层的制造工艺，其特征在于，采用IPVD方法淀积 TaSiN和TaN，作为Cu阻挡层，其中TaSiN与介质相邻，Ta淀积在TaSiN之上，在TaSiN/Ta 上面物理淀积Cu籽晶层，Ta与Cu金属籽晶相邻，用化学电镀方法淀积Cu薄膜，配合快速热退火和Cu化学机械抛光，实现Cu的金属互联工艺。

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