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颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.26 US 01/12383
申请(专利权)人：
T微电子公司
地 址：
法国蒙鲁日
发 明 (设计)人：
帕斯卡·迦德斯
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
一种在一部分绝缘体上的半导体衬底中形成元件的方法，特征在于：侧壁由绝缘层与所述部分内部的周边区隔开，并重掺杂成与所述衬底相同的导电类型。与所述壁同时在衬底表面的保护层上形成导电板，所述板与周边区电接触，所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸，超出了周边区和衬底之间的界限上的位置。
主权项
权利要求书
1.一种在一部分绝缘体(3)上的第一导电类型半导体衬底(1)
中形成元件的方法，特征在于：侧壁(21)由绝缘层(10)与所述部
分内部的周边区(8)隔开，并重掺杂成第一导电类型，其中与所述壁
同时在衬底表面的保护层(6)上形成导电板(22)，所述板与周边区
电接触，所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸，超出
了周边区和衬底之间的界限上的位置。
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