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分 类 号：
H01L27/00;G06F15/78;G06F13/36
颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.21 JP 288792/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
永田真也;渡边克吉;池本政彦
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
马铁良;王忠忠
摘要
将半导体芯片分割成以焊磐围绕的第1半导体区域和焊磐外部的区域，将存储器配置于此焊磐外部区域。而且，将配置于这些第1半导体区域内的存储器和配置于焊磐外部的存储器，分别通过各自的存储器总线及选择器与总线接口部件耦合。用2相的相互相位没有不同的时钟信号驱动此选择器。提供即使针对记忆装置记忆容量的变更，也可以容易地应对，且不论总线接线长度的变更，可以高速地且低能耗地转送信号/数据的半导体集成电路装置。
主权项
权利要求书
1.一种半导体集成电路装置，其具备
配置包含处理装置的内部电路的第1半导体区域；
配置至少存储上述处理装置使用的数据的第1记忆装置的第2半
导体区域；
配置于上述第1及第2半导体区域之间的焊磐。
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